深圳宝铭微电子主要代理产品为富士电机高速igbt及ipm、pim、igbt驱动、功率模块等。搭配国际知名品牌晶闸管、整流桥、薄膜电容等，为客户提供全套的电力电子解决方案。
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富士电机高速igbt模块,富士超快开关频率igbt华南区代理商-宝铭微电子
主要产品有：
optimized design for 20 ~ 50khz
high-speed igbt + standard fwd
2mbi100hj-120-50
   2mbi150hj-120-50
2mbi200hj-120-50
   2mbi300hj-120-50
 在实用型驱动电路中，可以通过改变q5的限流电阻r2和加速电容c1的值来实现cies适当放电：当c1较大，r2较小时，一方面电容c1中储存的电量较大，另一方面，三极管q5基极电流大使得发射极电流大，因此cies的放电速度较大;当c1较小，r2较大时，cies放电速度减小。又因为c1往往大于cie-s，因此在输入电容cies放电结束后，即igbt关断后，c1上可能还残存少量电量，若没有适当的放电回路，这个电容经过几个脉冲周期后充满电荷，而失去加速作用，所以要求c1在每个周期上升沿到来时，电容上无存储电荷，因此在igbt的g-e端并联电阻r3，给电容c1提供放电回路。d5为15v稳压管，防止驱动信号失控而造成的igbt损坏。
当开通驱动信号加在cd端时，在脉冲的上升沿，电容c1相当短路，通过门极电阻r1和加速电容c1向igbt栅极提供较大电流，降低驱动脉冲的上升时间，最终igbt因uge上升至15v而导通。同时因为npn三极管q5的门极通过r2接至低电平，因此处于截止状态，对igbt的导通没有影响;在脉冲平顶期，此时，igbt的输入电容cies已经满电，此时igbt的g-e极之间相当于断开，变压器次边vcd保持高电平。当脉冲下降沿到来时，igbt的输入电容在这段时间要反向放电，若放电速度太快，会引起极大的关断尖峰，造成igbt的损坏;若放电速度太慢又会造成igbt关断时间过长，形成较大的拖尾电流，造成关断损耗增加，降低效率。因此应该适当控制igbt输入电容的放电速度。

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