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佛山优秀的高频IGBT公司

2019/10/26 10:51:01发布160次查看
 深圳宝铭微电子主要代理产品为富士电机高速igbt及ipm、pim、igbt驱动、功率模块等。搭配国际知名品牌晶闸管、整流桥、薄膜电容等,为客户提供全套的电力电子解决方案。
深圳宝铭微电子在测试电源、负载电源、真空电镀电源、激光电源、电焊机、感应加热、医疗电源(高压发生器)、特种中频电源、电动汽车等领域与客户战略合作,全力支持中国高端特种工业电源的发展!
富士电机高速igbt模块,富士超快开关频率igbt华南区代理商-宝铭微电子
主要产品有:
optimized design for 20 ~ 50khz
high-speed igbt + standard fwd
2mbi100hj-120-50
   2mbi150hj-120-50
2mbi200hj-120-50
   2mbi300hj-120-50
 在实用型驱动电路中,可以通过改变q5的限流电阻r2和加速电容c1的值来实现cies适当放电:当c1较大,r2较小时,一方面电容c1中储存的电量较大,另一方面,三极管q5基极电流大使得发射极电流大,因此cies的放电速度较大;当c1较小,r2较大时,cies放电速度减小。又因为c1往往大于cie-s,因此在输入电容cies放电结束后,即igbt关断后,c1上可能还残存少量电量,若没有适当的放电回路,这个电容经过几个脉冲周期后充满电荷,而失去加速作用,所以要求c1在每个周期上升沿到来时,电容上无存储电荷,因此在igbt的g-e端并联电阻r3,给电容c1提供放电回路。d5为15v稳压管,防止驱动信号失控而造成的igbt损坏。
当开通驱动信号加在cd端时,在脉冲的上升沿,电容c1相当短路,通过门极电阻r1和加速电容c1向igbt栅极提供较大电流,降低驱动脉冲的上升时间,最终igbt因uge上升至15v而导通。同时因为npn三极管q5的门极通过r2接至低电平,因此处于截止状态,对igbt的导通没有影响;在脉冲平顶期,此时,igbt的输入电容cies已经满电,此时igbt的g-e极之间相当于断开,变压器次边vcd保持高电平。当脉冲下降沿到来时,igbt的输入电容在这段时间要反向放电,若放电速度太快,会引起极大的关断尖峰,造成igbt的损坏;若放电速度太慢又会造成igbt关断时间过长,形成较大的拖尾电流,造成关断损耗增加,降低效率。因此应该适当控制igbt输入电容的放电速度。

深圳宝铭微电子有限公司
18682392980

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